纳米级焦点、160kV穿透力、2000倍几何放大,中国在高精度X射线检测领域实现从技术追赶到全球并跑的跨越。

2025年10月,中国工业检测领域迎来里程碑式突破——日联科技成功实现UNOS系列160kV纳米级开放式X射线源的量产并形成标准化生产流程。这一成就标志着中国在高精度X射线检测核心部件领域打破了海外厂商的长期垄断。

技术突破:开管射线源量产攻坚

开管射线源研发是典型的多学科交叉高科技领域,涉及材料科学、真空物理、电子光学、精密机械和自动控制等多个学科的顶尖技术融合与突破。全球能独立研发和生产高性能纳米级开放式X射线源的公司屈指可数。

日联科技通过上千次实验与工艺调整,攻克了高密度电子束精准聚焦、兆瓦级热载荷材料耐受性、多物理场耦合真空腔体设计等多项核心技术难题。研发团队完成了极其精密的电子光学系统搭建,通过全自主研发的高精度恒流电源为磁透镜和合轴线圈供电,有效控制电子束。多年漫长攻坚,日联科技最终成功研制出国内首款开放式X射线源,并实现产业化应用。

性能卓越:重新定义检测标准

日联科技量产的160kV开放式微聚焦X射线源具备三大核心优势:

超高分辨率:焦点尺寸仅0.8μm,配合2000倍几何放大倍率,可清晰呈现比头发丝细100倍的芯片内部结构。

高穿透性:最高管电压达160kV,能轻松穿透高集成芯片表层异质材料,观测内部深层缺陷。

智能化操作:集成全数字化控制软件,简化操作流程,可与整机装备进行安全互锁,保障操作安全。

该产品设计了纳焦点、微焦点、高功率三种可调模式,让用户在“穿透力与亮度”和“极限分辨率”之间灵活权衡,满足从微小芯片纳米级缺陷到大型工业部件透视等各种检测需求。

产业应用:赋能精密制造升级

日联科技UNOS系列160kV开管射线源已应用于AX9600半导体智检装备,可精准完成半导体产品爬锡高度、连锡、虚焊、漏焊、短路等封装缺陷和空洞、裂纹等内部结构缺陷检测。结合开管X射线源,该设备实现最小0.8μm高精度检测,检测效率较传统人工提升2000%。

在半导体领域,随着先进制程线宽缩小及2.5D/3D先进封装技术普及,检测要求持续升级。开管射线源可扫描整片晶圆,快速定位微小颗粒、划痕等缺陷;在先进封装领域,能精准核查硅通孔填充完整性、微凸点焊接质量。

全球影响:重塑行业竞争格局

2025年10月,研究机构弗若斯特沙利文发布报告,明确GE、日联科技、Nordson组成的“GUN组合”,凭借全场景产品布局、核心技术掌控力与跨领域服务能力,成为全球工业X射线检测设备行业发展的领跑者。

日联科技作为 “GUN组合”中唯一的中国企业,不仅筑牢中国工业检测产业链安全屏障,更在全球竞争格局中重塑行业势力版图。日联科技以微焦点射线源创新为核心,打通 “射线源+检测装备”全产业链,不仅满足半导体、电子制造、新能源等领域对高精度检测的迫切需求,更降低了工业检测的成本与门槛。

随着全球制造业向智能化迈进,日联科技这类掌握核心技术的企业将持续重塑全球工业检测格局,成为中国高端制造崛起的核心力量。

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